25
2012
Intel перейдет на 3D-транзисторы
Электронный прибор транзистор за свою долгую историю претерпел немало изменений. Хотя в большинстве случаев о нововведениях знали лишь специалисты, временами совершенствование технологии становилось поводом для рекламной кампании. Одним из таковых стало внедрение фирмой Intel трехмерных транзисторов в серийно производимые микросхемы. Попробуем разобраться, насколько значимым это событие является на деле.
Первый практически работоспособный биполярный транзистор был изобретен в компании Bell Labs в 1947 г., и именно эту дату принято считать днем рождения важнейшего современного электронного прибора. Долгое время биполярные транзисторы были основой большинства электронных изделий, включая вычислительные машины. Тем не менее в основе всех современных микропроцессоров лежит другая разновидность транзисторов — так называемые полевые. В «живом» виде они появились в 1960 г.. хотя изобретены были существенно раньше биполярных, в середине 1920-х гг., чем в немалой степени способствовала простота принципа их работы.
Упрощенная схема классического планарного (англ. planar — «плоский») полевого транзистора, являвшегося до сегодняшнего дня основой подавляющего числа микросхем, приведена на рисунке. Транзистор покоится на кремниевой подложке (Silicon Substrate). От истока (Source) электрические заряды стремятся через инверсионный слой (Inversion Layer) попасть на сток (Drain).
Проводимость инверсионного слоя, а значит, и количество зарядов, способных его пересечь и достичь стока, зависит от величины электрического поля (которое, кстати, и дало название этому типу транзисторов), созданного зарядами, находящимися в области затвора (Gate), отделенного от остальных областей транзистора слоем изолятора (Gate Oxide), в роли которого долгое время выступал оксид кремния.
Изменение напряжения затвора относительно стока меняет количество зарядов, находящихся на затворе, и, следовательно, величину электрического поля, перекрывающего инверсионный слой. Причем даже малые колебания напряжения на затворе вызывают значительное изменение силы протекающего тока. Именно этот факт позволяет транзисторам работать в качестве усилителей.
Однако в цифровых микросхемах, к коим относятся и микропроцессоры, транзисторы работают не в усилительном, а ключевом режиме: в каждый момент времени транзистор находится либо в открытом (токопроводящем), либо закрытом состоянии, что обеспечивается подачей на затвор одного из двух фиксированных уровней напряжения.
Комментарии
Найди своё слово
Комментируй онлайн
- Шаблон для Kunena 1.6 к записи
- K2 Store — русский к записи
- Шаблон для Kunena 1.6 к записи
- TRENDnet пополнила серию сетевых прод к записи
- TRENDnet пополнила серию сетевых прод к записи
louis vuitton outlet mall…
louis vuitton outlet store in maryland Intel перейдет на 3D-транзисторы « В городе «Т»…